2Т306Г

На постоянной основе приобретаем транзисторы серии 2Т306Г из складских неликвидов, невостребованного имущества промышленного назначения.

2Т306Г
Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n переключательные и усилительные с ненормированным коэффициентом шума.
Предназначены для применения в усилителях высокой частоты (2Т306В, 2Т306Г, КТ306В, КТ306Г, КТ306Д, КТ306ВМ, КТ306ГМ, КТ306ДМ) и переключающих устройствах (2Т306А, 2Т306Б, КТ306А, КТ306Б, КТ306АМ, КТ306БМ).
Выпускаются в металлостеклянном корпусе с гибкими выводами (2Т306А, 2Т306Б, 2Т306В, 2Т306Г, КТ306А, КТ306Б, КТ306В, КТ306Г, КТ306Д) и пластмассовом корпусе с гибкими выводами (КТ306АМ, КТ306БМ, КТ306ВМ, КТ306ГМ, КТ306ДМ).
Тип приборов 2Т306А-2Т306Г и КТ306А-КТ306Д указывается на корпусе.
На приборах в пластмассовом корпусе маркировка указывается в сокращенном виде: 306А, 306Б, 306В, 306Г, 306Д.
Масса транзистора не более 0,65 г. в металлостеклянном корпусе и не более 0,5 г в пластмассовом корпусе.
Основные технические характеристики транзистора 2Т306Г:
Структура транзистора: n-p-n
Рк max - Постоянная рассеиваемая мощность коллектора: 150 мВт
fгр - Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером: не менее 500 МГц
Uкбо max - Максимальное напряжение коллектор-база при заданном обратном токе коллектора и разомкнутой цепи эмиттера: 15 В
Uэбо max - Максимальное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 4 В
Iк max - Максимально допустимый постоянный ток коллектора: 30 мА
Iкбо - Обратный ток коллектора - ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера: не более 0,5 мкА
h21Э - Статический коэффициент передачи тока для схемы с общим эмиттером в режиме большого сигнала: 40...200
Ск - Емкость коллекторного перехода: не более 5 пФ
Rкэ нас - Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером: не более 30 Ом

Предложения просим отправлять на нашу электронную почту.
В предложениях, пожалуйста, уточняйте: дата выпуска, количество транзисторов, состояние, производителя и маркировку изделий.