2Т3117А

Покупаем транзисторы типа 2Т3117А из невостребованного имущества предприятий и организаций, складских неликвидов предприятий.

2Т3117А
Транзисторы 2Т3117А кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n импульсные.
Предназначены для применения в импульсных и переключающих устройствах.
Выпускаются в металлостеклянном корпусе с гибкими выводами.
Тип прибора указывается на корпусе.
Масса транзистора не более 0,4 г.
Основные технические характеристики транзистора 2Т3117А:
Структура транзистора: n-p-n
Рк max - Постоянная рассеиваемая мощность коллектора: 300 мВт
fгр - Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером: не менее 200 МГц
Uкбо max - Максимальное напряжение коллектор-база при заданном обратном токе коллектора и разомкнутой цепи эмиттера: 60 В
Uэбо max - Максимальное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 4 В
Iк max - Максимально допустимый постоянный ток коллектора: 400 мА
Iкбо - Обратный ток коллектора - ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера: не более 10 мкА (60В)
h21Э - Статический коэффициент передачи тока для схемы с общим эмиттером в режиме большого сигнала: 40...200
Ск - Емкость коллекторного перехода: не более 10 пФ
Rкэ нас - Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером: не более 1,2 Ом

Ваши предложения просьба отправлять на электронный адрес.
В ваших предложениях, просим, уточняйте: маркировку, производителя, состояние, условия хранения и наличие фабричной упаковки.