2Т3129В-9

Покупаем транзисторы типа 2Т3129В-9 из невостребованного имущества, производственных остатков промышленного назначения.

2Т3129В-9
Транзисторы 2Т3129В9 кремниевые эпитаксиально-планарные структуры p-n-p универсальные.
Предназначены для применения в низкочастотных усилителях, генераторах, импульсных устройствах герметизированной аппаратуры.
Выпускаются в пластмассовом корпусе с жесткими выводами.
Тип прибора указывается в этикетке.
Масса транзистора не более 0,1 г.
Основные технические характеристики транзистора 2Т3129В-9:
Структура транзистора: p-n-p
Рк max - Постоянная рассеиваемая мощность коллектора: 75 мВт
fгр - Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером: не менее 200 МГц
Uкбо max - Максимальное напряжение коллектор-база при заданном обратном токе коллектора и разомкнутой цепи эмиттера: 30 В
Uэбо max - Максимальное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 5 В
Iк max - Максимально допустимый постоянный ток коллектора: 100 мА
Iкбо - Обратный ток коллектора - ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера: не более 1 мкА
h21э - Статический коэффициент передачи тока транзистора в режиме малого сигнала для схем с общим эмиттером: 80... 250
Ск - Емкость коллекторного перехода: не более 20 пФ

Ваши предложения просьба отправлять на наш email.
В предложениях, пожалуйста, указывайте: количество транзисторов, условия хранения, производителя и маркировку.