2Т354Б-2

Регулярно выкупаем транзисторы типа 2Т354Б-2 из производственных запасов промышленных предприятий, складских неликвидов.

2Т354Б-2
Транзисторы 2Т354Б-2 кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n усилительные.
Предназначены для применения в усилителях высокой и сверхвысокой частот.
Бескорпусные на кристаллодержателе с гибкими выводами и защитным покрытием.
Тип прибора указывается в этикетке.
Масса транзистора не более 0,003 г.
Основные технические характеристики транзистора 2Т354Б-2:
Структура транзистора: n-p-n
Рк max - Постоянная рассеиваемая мощность коллектора: 30 мВт
fгр - Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером: не менее 1500 МГц
Uкэr max - Максимальное напряжение коллектор-эмиттер при заданном токе коллектора и заданном (конечном) сопротивлении в цепи база-эмиттер: 10 В (3кОм)
Uэбо max - Максимальное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 4 В
Iк и max - Максимально допустимый импульсный ток коллектора: 10 мА
Iкбо - Обратный ток коллектора - ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера: не более 0,5 мкА
h21э - Статический коэффициент передачи тока транзистора в режиме малого сигнала для схем с общим эмиттером: 90...360
Ск - Емкость коллекторного перехода: не более 1,3 пФ
tк - Постоянная времени цепи обратной связи на высокой частоте: не более 35 пс

Все предложения просьба отправлять по любым нашим контактам.
В предложениях, просим, отображайте: объем партии, производителя деталей и состояние.