2Т364В-2

Закупаем транзисторы 2Т364В-2 из невостребованных активов, неликвидов, производственных остатков.

2Т364В-2
Транзисторы 2Т364В-2 кремниевые эпитаксиально-планарные структуры p-n-p переключательные.
Предназначены для применения в переключающих устройствах герметизированной аппаратуры.
Бескорпусные на кристаллодержателе с гибкими выводами и защитным покрытием.
Выпускаются в индивидуальной сопроводительной таре.
Тип прибора указывается на сопроводительной таре.
Масса транзистора не более 0,006 г.
Основные технические характеристики транзистора 2Т364В-2:
Структура транзистора: p-n-p
Рк max - Постоянная рассеиваемая мощность коллектора: 150 мВт
fгр - Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером: не менее 250 МГц
Uкбо max - Максимальное напряжение коллектор-база при заданном обратном токе коллектора и разомкнутой цепи эмиттера: 25 В
Uэбо max - Максимальное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 5 В
Iк max - Максимально допустимый постоянный ток коллектора: 200 мА
Iкбо - Обратный ток коллектора - ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера: не более 1 мкА
h21Э - Статический коэффициент передачи тока для схемы с общим эмиттером в режиме большого сигнала: 80...240
Ск - Емкость коллекторного перехода: не более 15 пФ
Rкэ нас - Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером: не более 30 Ом
tк - Постоянная времени цепи обратной связи на высокой частоте: не более 500 пс

Все предложения просим направлять по контактам.
В своих предложениях, просим, указывайте: условия хранения, дата выпуска, маркировку и есть ли упаковка.