2Т625АМ-2

Закупаем транзисторы типа 2Т625АМ-2 из производственных остатков промышленного назначения, производственных запасов, невостребованного имущества промышленного назначения.

2Т625АМ-2
Транзисторы 2Т625АМ-2 кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n переключательные.
Предназначены для применения в импульсных устройствах герметизированной аппаратуры.
Бескорпусные с защитным покрытием и гибкими выводами.
Тип прибора указывается в этикетке.
Масса транзисторов:
- 2Т625А-2, 2Т625Б-2, КТ625А не более 0,015 г,
- 2Т625АМ-2, 2Т625БМ-2, КТ625АМ не более 0,04 г.
Основные технические характеристики транзистора 2Т625АМ-2:
Структура транзистора: n-p-n
Рк max - Постоянная рассеиваемая мощность коллектора: 1 Вт
fгр - Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером: не менее 200 МГц
Uкбо max - Максимальное напряжение коллектор-база при заданном обратном токе коллектора и разомкнутой цепи эмиттера: 60 В
Uэбо max - Максимальное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 5 В
Iк max - Максимально допустимый постоянный ток коллектора: 1000 мА
Iкбо - Обратный ток коллектора - ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера: не более 30 мкА (60В)
h21э - Статический коэффициент передачи тока транзистора для схем с общим эмиттером: 20... 200
Ск - Емкость коллекторного перехода: не более 9 пФ
Rкэ нас - Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером: не более 1,3 Ом
tк - Постоянная времени цепи обратной связи на высокой частоте: не более 60 пс

Все предложения просим направлять на наш электронный адрес.
В ваших предложениях, пожалуйста, уточняйте: наличие заводской упаковки у, маркировку товара, количество, производителя и год выпуска.