2Т830Г

Срочный выкуп транзисторов серии 2Т830Г - любое ваше количество из сверхнормативных запасов предприятий, складских остатков промышленного назначения.

2Т830Г
Транзисторы 2Т830Г кремниевые мезаэпитаксиально-планарные структуры p-n-p.
Предназначены для применения в усилителях мощности, источниках вторичного электропитания, преобразователях.
Корпус 2Т830А, 2Т830Б, 2Т830В, 2Т830Г металлический со стеклянными изоляторами и гибкими выводами, транзисторы 2Т830В-1, 2Т830Г-1 бескорпусные с защитным покрытием и гибкими выводами.
Масса транзистора в металлическом корпусе не более 2 г, бескорпусного - не более 0,03 г.
Основные технические характеристики транзистора 2Т830Г:
Структура транзистора: p-n-p
Рк т max - Постоянная рассеиваемая мощность коллектора с теплоотводом: 5 Вт
fгр - Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером: не менее 4 МГц
Uкбо max - Максимальное напряжение коллектор-база при заданном обратном токе коллектора и разомкнутой цепи эмиттера: 100 В
Uэбо max - Максимальное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 5 В
Iк max - Максимально допустимый постоянный ток коллектора: 2 А
Iк и max - Максимально допустимый импульсный ток коллектора: 4 А
Iкбо - Обратный ток коллектора - ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера: не более 100 мкА (100В)
h21э - Статический коэффициент передачи тока транзистора для схем с общим эмиттером: более 20
Rкэ нас - Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером: не более 1,2 Ом

Предложения просим направлять на наш email.
В ваших предложениях уточняйте: состояние, количество, условия хранения деталей и маркировку деталей.