2Т841Б

Приобретаем транзисторы 2Т841Б из сверхнормативных резервов промышленного назначения, складских неликвидов предприятий и организаций.

2Т841Б
Транзисторы кремниевые планарные структуры n-p-n переключательные.
Предназначены для применения в переключающих устройствах, импульсных модуляторах, мощных преобразователях, линейных стабилизаторах напряжения.
Транзисторы 2Т841А, 2Т841Б, 2Т841В, КТ841А, КТ841Б, КТ841В, КТ841Г, КТ841Д, КТ841Е выпускаются в металлическом корпусе со стеклянными изоляторами и жесткими выводами.
Транзисторы 2Т841А1, 2Т841Б1 выпускаются в пластмассовом корпусе с жесткими выводами.
Тип прибора указывается на корпусе.
Масса транзисторов в металлическом корпусе не более 20 г, в пластмассовом корпусе не более 2 г.
Основные технические характеристики транзистора 2Т841Б:
Структура транзистора: n-p-n
Рк max - Постоянная рассеиваемая мощность коллектора: 3Вт
Рк т max - Постоянная рассеиваемая мощность коллектора с теплоотводом: 50 Вт
fгр - Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером: не менее 10 МГц
Uкбо max - Максимальное напряжение коллектор-база при заданном обратном токе коллектора и разомкнутой цепи эмиттера: 400 В
Uэбо max - Максимальное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 5 В
Iк max - Максимально допустимый постоянный ток коллектора: 10 А
Iк и max - Максимально допустимый импульсный ток коллектора: 15 А
Iкбо - Обратный ток коллектора - ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера: не более 3 мА (400В)
h21э - Статический коэффициент передачи тока транзистора для схем с общим эмиттером: более 12
Ск - Емкость коллекторного перехода: не более 300 пФ
Rкэ нас - Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером: не более 0,3 Ом
tрас - Время рассасывания: не более 1000 нс

Ваши предложения просьба отправлять по любым нашим контактам.
В своих предложениях, просим, уточняйте: год выпуска, маркировку товара и условия хранения.