2Т856Б

Срочно закупаем транзисторы серии 2Т856Б - любое ваше количество из резервов промышленного назначения, сверхнормативных запасов.

2Т856Б
Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n переключательные.
Предназначены для применения в переключающих устройствах.
Транзисторы
- 2Т856А, 2Т856Б, 2Т856В, КТ856А, КТ856Б выпускаются в металлическом корпусе с жесткими выводами и стеклянными изоляторами,
- 2Т856Г, КТ856А1, КТ856Б1 - в пластмассовом корпусе с жесткими выводами, с выводом коллектора, изолированным от корпуса.
Тип прибора указывается на корпусе.
Масса транзистора в металлическом корпусе не более 16 г, в пластмассовом не более 10 г.
Основные технические характеристики транзистора 2Т856Б:
Структура транзистора: n-p-n
Рк т max - Постоянная рассеиваемая мощность коллектора с теплоотводом: 75 Вт
fгр - Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером: более 10 МГц
Uкбо max - Максимальное напряжение коллектор-база при заданном обратном токе коллектора и разомкнутой цепи эмиттера: 700 В
Uэбо max - Максимальное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 5 В
Iк max - Максимально допустимый постоянный ток коллектора: 10 А
Iк и max - Максимально допустимый импульсный ток коллектора: 12 А
Iкбо - Обратный ток коллектора - ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера: не более 3 мА (700В)
h21э - Статический коэффициент передачи тока транзистора для схем с общим эмиттером: 10... 60
Ск - Емкость коллекторного перехода: не более 100 пФ
Rкэ нас - Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером: не более 0,3 Ом

Все ваши предложения просим отправлять на наш электронный адрес.
В своих предложениях указывайте: количество, есть ли фабричная упаковка и производителя деталей.