ГТ322Б

Выкупаем транзисторы серии ГТ322Б из производственных резервов промышленного назначения, производственных неликвидов организаций.

ГТ322Б
Транзисторы ГТ322Б германиевые диффузионно-сплавные структуры p-n-p усилительные с нормированным коэффициентом шума.
Предназначены для применения в усилителях промежуточной и высокой частот.
Выпускаются в металлостеклянном корпусе с гибкими выводами.
Корпус транзистора электрически соединен с дополнительным (четвертым) выводом и может быть использован в качестве экрана.
Выводы эмиттера, базы и коллектора электрически изолированы от корпуса транзистора.
Масса транзистора не более 0,6 г.
Основные технические характеристики транзистора ГТ322Б:
Структура: p-n-p
Рк max - Постоянная рассеиваемая мощность коллектора: 50 мВт
Fгр - Предельная частота коэффициента передачи тока транзистора для схем с общим эмиттером и общей базой: не менее 80 МГц
Uкбо проб - Пробивное напряжение коллектор-база при заданном обратном токе коллектора и разомкнутой цепи эмиттера: 25 В
Uэбо проб - Пробивное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 0,25 В
Iк max - Максимально допустимый постоянный ток коллектора: 10 мА
Iкбо - Обратный ток коллектора - ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера: не более 4 мкА при 25 В
h21Э - Статический коэффициент передачи тока для схемы с общим эмиттером в режиме большого сигнала: 50...120 при 5В, 1мА
Ск - Емкость коллекторного перехода: не более 1,8 пФ при 5В
Кш - Коэффициент шума транзистора: не более 4 дБ на частоте 1,6 МГц
tк - Постоянная времени цепи обратной связи на высокой частоте: не более 100 пс

Все предложения просьба направлять на нашу электронную почту.
В ваших предложениях, пожалуйста, отображайте: объем предлагаемой партии, наличие фабричной упаковки у и производителя.