ГТ403Д

Закупаем транзисторы ГТ403Д из производственных резервов промышленного назначения, производственных запасов промышленного назначения.

ГТ403Д
Транзисторы ГТ403Д германиевые сплавные структуры p-n-p усилительные.
Предназначены для применения в переключающих устройствах, выходных каскадах усилителей низкой частоты, преобразователях и стабилизаторах постоянного тока.
Выпускаются в металлостеклянном корпусе с гибкими выводами.
Тип прибора указывается на корпусе.
Масса транзистора не более 4 г.
Основные технические характеристики транзистора ГТ403Д:
Структура: p-n-p
Рк т max - Постоянная рассеиваемая мощность коллектора с теплоотводом: 4 Вт
fmax - Максимальная частота генерации: 0,006 МГц
Uкбо проб - Пробивное напряжение коллектор-база при заданном обратном токе коллектора и разомкнутой цепи эмиттера: 60 В
Uэбо проб - Пробивное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 20 В
Iк max - Максимально допустимый постоянный ток коллектора: 1250 мА
Iкбо - Обратный ток коллектора - ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера: не более 50 мкА при 60 В
h21э - Коэффициент обратной связи по напряжению транзистора в режиме малого сигнала для схем с общим эмиттером и общей базой соответственно: 50...150 при 5В, 0,1 А
Rкэ нас - Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером: не более 1 Ом
Кш - Коэффициент шума транзистора: не нормируется

Ваши предложения просим направлять по любым контактам.
В ваших предложениях отображайте: количество, дата выпуска и состояние товара.