КП809А-2

Регулярно закупаем транзисторы КП809А-2 из производственных неликвидов организаций и промышленных предприятий, складских резервов.

КП809А-2
Транзисторы КП809А-2 кремниевые полевые эпитаксиально-планарные с изолированным затвором и каналом n-типа переключательные.
Предназначены для применения в импульсных источниках вторичного электропитания с бестрансформаторным входом, в регуляторах, стабилизаторах и преобразователях с непрерывным импульсным управлением, блоках питания ЭВМ, схемах управления электродвигателями.
Основные технические характеристики транзистора КП809А-2:
Структура транзистора: nМОП
Рси т max - Максимальная рассеиваемая мощность сток-исток с теплоотводом: 50 Вт
Uзи отс - Напряжение отсечки транзистора - напряжение между затвором и истоком: 1,5... 5 В
Uси max - Максимальное напряжение сток-исток: 400 В
Uзи max - Максимальное напряжение затвор-исток: 20 В
Iс - Ток стока (постоянный): 9,6 А
Iс и - Импульсные ток стока (постоянный): 35 А
Iс нач - Начальный ток стока: не более 0,25 мА
Iс ост - Остаточный ток стока: не более 1 мА
S - Крутизна характеристики: не менее 1500 мА/В (20В 3А)
С11и - Входная емкость транзистора - емкость между затвором и истоком: не более 3000 пФ
С12и - Емкость обратной связи в схеме с общим истоком при коротком замыкании на входе по переменному току: не более 220 пФ

Все ваши предложения просьба направлять на нашу электронную почту.
В предложениях, пожалуйста, отображайте: дата выпуска, маркировку изделий и условия хранения изделий.