КТ3117Б

Покупаем транзисторы КТ3117Б - все что у вас есть из производственных остатков промышленного назначения, невостребованного имущества.

КТ3117Б
Транзисторы КТ3117Б кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n импульсные.
Предназначены для применения в импульсных и переключающих устройствах.
Выпускаются в металлостеклянном корпусе с гибкими выводами (КТ3117А, КТ3117Б) и в пластмассовом корпусе с гибкими выводами (КТ3117А1). Тип прибора указывается на корпусе и в этикетке.
Масса транзистора в металлостеклянном корпусе не более 0,4 г, в пластмассовом корпусе не более 0,3 г.
Основные технические характеристики транзистора КТ3117Б:
Структура транзистора: n-p-n
Рк max - Постоянная рассеиваемая мощность коллектора: 300 мВт
fгр - Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером: не менее 200 МГц
Uкбо max - Максимальное напряжение коллектор-база при заданном обратном токе коллектора и разомкнутой цепи эмиттера: 75 В
Uэбо max - Максимальное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 4 В
Iк max - Максимально допустимый постоянный ток коллектора: 400 мА
Iкбо - Обратный ток коллектора - ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера: не более 10 мкА (75В)
h21Э - Статический коэффициент передачи тока для схемы с общим эмиттером в режиме большого сигнала: 100...300
Ск - Емкость коллекторного перехода: не более 10 пФ
Rкэ нас - Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером: не более 1,2 Ом

Все предложения просим отправлять на электронную почту.
В предложениях уточняйте: состояние, объем партии транзисторов, год выпуска, маркировку и есть ли фабричная упаковка.