КТ912Б

Приобретем транзисторы КТ912Б - все что у вас есть из резервов предприятий, невостребованного имущества, неликвидов.

КТ912Б
Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n генераторные.
Предназначены для применения в линейных усилителях мощности на частотах 1.5...30 МГц при напряжении питания 27 В.
Транзисторы 2Т912А, 2Т912Б, КТ912А, КТ912Б выпускаются в металлокерамическом корпусе с жесткими выводами и монтажным винтом.
Внутри корпуса имеется полупроводниковый диод-датчик температуры.
Тип прибора указываются на корпусе.
Транзисторы 2Т912А-5, 2Т912Б-5 выпускаются в виде кристаллов с контактными площадками без кристаллодержателя и без выводов для гибридных интегральных микросхем.
Тип прибора указывается в этикетке.
Масса транзистора в металлокерамическом корпусе не более 45 г, кристалла не более 0,01 г.
Основные технические характеристики транзистора КТ912Б:
Структура транзистора: n-p-n
Рк т max - Постоянная рассеиваемая мощность коллектора с теплоотводом: 30 Вт
fгр - Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером: более 90 МГц
Uкэr max - Максимальное напряжение коллектор-эмиттер при заданном токе коллектора и заданном сопротивлении в цепи база-эмиттер: 70 В (0,01кОм)
Uэбо max - Максимальное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 5 В
Iк max - Максимально допустимый постоянный ток коллектора: 20 А
Iкэr - Обратный ток коллектор-эмиттер при заданных обратном напряжении коллектор-эмиттер и сопротивлении в цепи база-эмиттер: не более 50 мА (70В)
h21э - Статический коэффициент передачи тока транзистора для схем с общим эмиттером: 20... 100
Ск - Емкость коллекторного перехода: не более 200 пФ
Ку.р. - Коэффициент усиления мощности: не менее 10 дБ
Рвых - Выходная мощность транзистора: не менее 70 Вт на частоте 30 МГц

Ваши предложения просьба отправлять по контактам.
В ваших предложениях, просим, указывайте: наличие заводской упаковки, дата выпуска и количество.