МП10Б

Регулярно выкупаем транзисторы типа МП10Б из складских неликвидов промышленных предприятий и организаций, невостребованного имущества промышленного назначения.

МП10Б
Транзисторы германиевые сплавные n-p-n усилительные низкочастотные с ненормированным МП10, МП10А, МП10Б, МП10Б, МП11, МП11А и нормированным МП9А коэффициентами шума на частоте 1 кГц.
Предназначены для усиления сигналов низкой частоты.
Выпускаются в металлостеклянном корпусе с гибкими выводами.
Обозначение типа приводится на боковой поверхности корпуса.
Масса транзистора не более 2 г.
Основные технические характеристики транзистора МП10Б:
Структура транзистора: n-p-n
Рк max - Постоянная рассеиваемая мощность коллектора: 150 мВт
fh21б - Предельная частота коэффициента передачи тока транзистора для схем с общим эмиттером и общей базой: не менее 1 МГц
Uкбо проб - Пробивное напряжение коллектор-база при заданном обратном токе коллектора и разомкнутой цепи эмиттера: 15 В
Uэбо проб - Пробивное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 15 В
Iк max - Максимально допустимый постоянный ток коллектора: 20 мА
Iкбо - Обратный ток коллектора - ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера: не более 50 мкА
h21э - Статический коэффициент передачи тока транзистора в режиме малого сигнала для схем с общим эмиттером и общей базой соответственно: 25...50
Ск - Емкость коллекторного перехода: не более 60 пФ
tк - Постоянная времени цепи обратной связи на высокой частоте: не более 5000 пс
Кш - Коэффициент шума транзистора: не более 10 дБ на частоте 1 кГц

Все ваши предложения просьба отправлять по любым контактам.
В ваших предложениях, просим, указывайте: есть ли фабричная упаковка, количество, маркировку и условия хранения.